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7月11日晚間，銀河微電(688689)發(fā)布公告，公司擬以3.1億元投資實施“高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地一期廠房建設項目”，旨在提升公司集成電路分立器件產(chǎn)品的生產(chǎn)加工能力，擴大生產(chǎn)規(guī)模。

公告顯示，本次投資資金來源為公司自有資金或自籌資金，建設周期30個月，計劃通過購置土地及開展廠房土建工程，為后續(xù)高端集成電路分立器件產(chǎn)業(yè)化基地建設奠定基礎。

作為國內(nèi)領先的半導體分立器件制造商，銀河微電主要產(chǎn)品包括小信號器件、功率器件、光電器件、電源管理IC及第三代半導體（SiC、GaN）器件，產(chǎn)品廣泛應用于汽車電子、消費電子、工業(yè)控制、新能源及5G通信等領域。

近年來，受益于下游需求的強勁驅(qū)動，我國半導體分立器件行業(yè)市場規(guī)模持續(xù)擴大，業(yè)內(nèi)企業(yè)相繼收獲紅利。2022年至2024年，銀河微電營業(yè)收入分別為6.76億元、6.95億元、9.09億元，呈逐年上升態(tài)勢。公司表示，受生產(chǎn)場地、設備及人力資源的限制，當前產(chǎn)能已難以滿足日益增長的市場需求，本次推進相關半導體分立器件產(chǎn)能規(guī)模擴張，可促進業(yè)務發(fā)展，進一步提升盈利水平。

目前，硅材料平臺仍然是主流的半導體分立器件工藝平臺，并將在未來相當一段時間內(nèi)占據(jù)主要市場，但新的半導體材料，如SiC、GaN工藝平臺正在逐步走向成熟，并在新能源汽車、光伏逆變器等場景的應用占比顯著提升。

2024年，公司適時優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構，重點提升MOS產(chǎn)品、TVS及穩(wěn)壓管產(chǎn)品的銷售占比，推動產(chǎn)銷量穩(wěn)步增長，特別是在車規(guī)級半導體器件產(chǎn)業(yè)化項目方面，客戶拓展取得顯著突破。與此同時，進一步推進光電器件及IGBT器件擴產(chǎn)，加大對新增設備投入。

為搶抓市場機遇，銀河微電持續(xù)加快高端產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化進度。目前，公司初步具備SiC MOSFET及GaN HEMT芯片設計能力，并且實現(xiàn)了小批量應用。

在新產(chǎn)業(yè)布局方面，銀河微電“車規(guī)級半導體器件產(chǎn)業(yè)化”項目進入產(chǎn)能爬坡階段，產(chǎn)品涵蓋IGBT、SiC MOSFET等，獲得多家車企供應鏈認證，聚焦新能源汽車的電機控制、車載充電系統(tǒng)及ADAS領域，滿足AEC-Q101等國際車規(guī)標準，逐步替代英飛凌、安森美等海外廠商的中高端市場份額。同時，光電耦合器及LED產(chǎn)品已應用于工業(yè)自動化、醫(yī)療設備等領域， 并與多家客戶合作，開發(fā)高精度傳感器及電源管理模塊。