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人民財(cái)訊4月16日電，據(jù)復(fù)旦大學(xué)消息，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)通過構(gòu)建準(zhǔn)二維泊松模型，在理論上預(yù)測(cè)了超注入現(xiàn)象，打破了現(xiàn)有存儲(chǔ)速度的理論極限，研制“破曉（PoX）”皮秒閃存器件，其擦寫速度可提升至亞1納秒（400皮秒），相當(dāng)于每秒可執(zhí)行25億次操作，是迄今為止世界上最快的半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)。相關(guān)成果以《亞納秒超注入閃存》（Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection）為題于北京時(shí)間4月16日晚間在《自然》（Nature）期刊上發(fā)表。